G.SKILL SODIMM, Ripjaws, DDR3L. 8GB, 1866MHz, CL11, Single Stick

Name: G.SKILL SODIMM, Ripjaws, DDR3L. 8GB, 1866MHz, CL11, Single Stick
Brand: G.SKILL
SKU: 841521
Price: 29.45 EUR
Availability: OutOfStock

Prece var atšķirties no attēlā redzamās. Attēlā var būt detaļas un aksesuāri, kas neietilpst preces komplektācijā.

ID: 841521 Preces kods: F3-1866C11S-8GRSL

Šī prece patlaban nav pieejama. Pasūtījumi šīs preces piegādei netiek pieņemti. Mūsu rīcībā nav informācijas, kad šī prece var parādīties pārdošanā. Mūsu piegādātāji patlaban nesniedz informāciju par iespējamajiem preces piegādes laikiem, kā arī par iespējamo preces cenu, kad tā atkal būs pārdošanā.

Dateks.lv lapā informācija par šo preci tiek sniegta tikai un vienīgi informatīviem nolūkiem, lai klientiem būtu iespēja apskatīt preci un veikt tās salīdzinājumu ar pašlaik pārdošanā esošo produkciju.

Garantija: 3 gadi

Salīdzināt

Preces galvenie parametri Visi parametri

Apjoms: 8 GB
Atmiņas tips: DDR3L
CL: 11
KIT: Single module
Maksimālā takts frekvence: 1866 MHz

Līdzīgi produkti


	Šis produkts G.SKILL SODIMM, Ripjaws, DDR3L. 8GB, 1866MHz, CL11, Single Stick	Lexar SODIMM, DDR4, 8GB, 3200MHz, CL22, Single Stick	Crucial SODIMM, DDR5, 8GB, 4800MHz, CL40, Single stick	Lexar SODIMM, DDR4, 16GB, 3200MHz, CL22, Single Stick	Lexar SODIMM, DDR5, 16GB, 4800MHz, CL40, Single Stick
Rādīt vienādos parametrus Slēpt vienādos parametrus	29,45 €	27,90 €	33,92 €	43,45 €	50,35 €
Apjoms	8 GB	8 GB	8 GB	16 GB	16 GB
Atmiņas tips	DDR3L	DDR4	DDR5	DDR4	DDR5
CL	11	22	40	22	40
KIT	Single module	Single module	Single module	Single module	Single module
Maksimālā takts frekvence	1866 MHz	3200 MHz	4800 MHz	3200 MHz	4800 MHz

Visi parametri

Apjoms 8 GB

Atmiņas apjoms megabaitos.

Mūsdienu operētājsistēmas prasības stabilai un ātrai datora darbībai ir 1Gb, vai vairāk operatīvās atmiņas. MS Windows 7 (64 bitu) lietošanai nepieciešams vismaz 2Gb operatīvās atmiņas pilnai funkcionalitātei.
Duālā atmiņas režīma atbalstam nepieciešams ievietot atmiņu pa pāriem, kuros abi atmiņas moduļi ir vienāda apjoma.

Atmiņas tips DDR3L

Operatīvas atmiņas tips. Vienā pamatplatē iespējams izmantot tikai viena tipa operatīvās atmiņas moduļus.

Parametru standarti:

*Pirms iegādāties operatīvo atmiņu, noskaidrojiet, vai pamatplatei ir atbilstoša atmiņas ligzda un atbilstoša atmiņas tipa atbalsts.

CL 11

CL - atmiņas ciklu aizture milisekundēs. Vienā pamatplatē vēlams ievietot vienādas CL atmiņas. Mazāks CL laiks nozīmē lielāku ātrdarbību, tomēr ne visas pamatplates spēj stabili strādāt ar ātrajām atmiņām. Pirms iegādāties atmiņu pārliecinieties, vai pamatplatei ir atbalsts jūsu izvēlētajam atmiņas CL laikam.

KIT : Single module

Maksimālā takts frekvence 1866 MHz

Atmiņas ātrdarbības maksimums megahercos. Augstākas takts frekvences atmiņa stabili strādā zemākas takts frekvences režīmā, piem. DDRII800 atmiņa strādās DDRII667 un DDRII533 režīmos. Savukārt ievietojot DDRII667 atmiņu kopā ar DDRII800 atmiņu, pamatplate uzrādīs un strādās DDRII667 režīmā. Pirms iegādāties ātrdarbīgu atmiņu, pārliecinieties, vai pamatplate uztur atbilstošu atmiņas takts frekvenci (ātrumu).

Papildus specifikācija

dimensionalWeight - 35
EAN_kods - 4719692000439
garantijaType - G
guaranteeLength - 60
Kategorija_1 - Datora atmiņa
Kategorija_2 - DDR3 SO-DIMM
Nosaukums - G.Skill DDR3 SO-DIMM 8GB 1866-11 RSL
producerCode - F3-1866C11S-8GRSL
productName - G.Skill 8GB DDR3-1866 atmiņas modulis 1 x 8 GB 1866 MHz
productSize - Parasts
Ražotāja_kods - F3-1866C11S-8GRSL
Ražotājs - G.Skill
sizeX - 170
sizeY - 15
sizeZ - 70
Svars - 0,03
svars - 25
Tehniskā_details - Pirmklasīga kvalitāte Katrs G.SKILL Ripjaws SO-DIMM atmiņas komplekts ir 100% apstiprināts ar G.SKILL stingrajiem degšanas testiem. Tas nodrošina, ka katrs komplekts nodrošina perfektu stabilitāti, veiktspēju un kvalitāti jūsu klēpjdatoram. 1,35 V zemspriegums Nepieciešamais tikai 1,35 V, G.SKILL zemsprieguma SO-DIMM atmiņas komplekts patērē mazāk enerģijas un rada mazāk siltuma. Tas ir ideāls atmiņas risinājums, lai pagarinātu klēpjdatora akumulatora darbības laiku un uzlabotu stabilitāti zemākas temperatūras dēļ. 3. un 4. paaudzes Intel Core procesoriem G.SKILL Ripjaws 1,35 V zemsprieguma SO-DIMM atmiņas komplekti ir saderīgi ar klēpjdatoriem un datoriem, kas aprīkoti ar Intel 3. un 4. paaudzes procesoriem, kuri atbalsta 1,35 V DDR3 SO-DIMM. Modeļa nosaukums F3-1866C11S-8GRSL Sērija Ripjaws Kapacitāte 8 GB Moduļa apjoms 1 gab. izvietojums vienpusējs Konstrukcija SO-DIMM Tips DDR3 Savienojums 204-pin Spriegums līdz 1,35 Spriegums līdz 1,5 Spriegums Standarta DDR3-1866 (PC3-14900) Laika grafiks CAS latence (CL) 11 RAS-to-CAS aizkave (tRCD) 11 RAS-Precharge laiks (tRP) 11 Rindu aktīvais laiks (tRAS) 32

dimensionalWeight - 35
EAN_code - 4719692000439
warrantyType - G
warrantyLength - 60
Category_1 - Computer Memory
Category_2 - DDR3 SO-DIMM
Name - G.Skill DDR3 SO-DIMM 8GB 1866-11 RSL
producerCode - F3-1866C11S-8GRSL
productName - G.Skill 8GB DDR3-1866 memory module 1 x 8 GB 1866 MHz
productSize - Normal
Manufacturer_code - F3-1866C11S-8GRSL
Manufacturer - G.Skill
sizeX - 170
sizeY - 15
sizeZ - 70
Weight - 0,03
weight - 25
Technical_details - First-Class Quality
Every G.SKILL Ripjaws SO-DIMM memory kit is 100% validated with G.SKILL rigorous burn-in tests. It ensures every kit delivers perfect stability, performance and quality for your laptop machine. 1.35V Low Voltage
Required only 1.35V, the G.SKILL low voltage SO-DIMM memory kit consumes less power and generates less heat. It is the perfect memory solution to extend your laptop's battery life and enhance the stability due to lower temperature. For 3rd & 4th Gen Intel Core Processor
G.SKILL Ripjaws 1.35V Low Voltage SO-DIMM memory kits are compatible with the laptop machines & PCs equipped with Intel 3rd & 4th Generation processors that support 1.35V DDR3 SO-DIMM. Model name F3-1866C11S-8GRSL Series Ripjaws Capacity 8 GB Module amount 1 piece placement single-sided Design SO-DIMM Type DDR3 Connection 204-Pin Voltage by 1.35 Voltage until 1.5 Voltage Standard DDR3-1866 (PC3-14900) Timings CAS latency (CL) 11 RAS-to-CAS delay (tRCD) 11 RAS-Precharge time (tRP) 11 Row-Active time (tRAS) 32